Descripción

Número de Parte: STN4102

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de la puerta (Qg): 7 nC

Tiempo de subida (tr): 3.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm

Encapsulado: TO-252

Data sheet