Descripción

Número de Parte: SI7686DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 5 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17.9 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V

Tiempo de subida (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Encapsulado: POWERPAK-SO-8

Data sheet