Descripción

Número de Parte: AO4466

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.6 V

Tiempo de subida (tr): 2.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm

Encapsulado: SO-8

Data sheet