Descripción

Número de Parte: CSD19505KCS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 80 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.2 V

Carga de la puerta (Qg): 76 nC

Tiempo de subida (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1600 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0031 Ohm

Paquete / Cubierta: TO-220

Data sheet