Descripción

Número de Parte: FDD850N10L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15.7 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de la puerta (Qg): 22.2 nC

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.075 Ohm

Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Data sheet