Descripción

Numero de parte: FQPF12N60C

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Disipación de potencia máxima (Pd): 51 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 30 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de puerta (Qg): 48 nC

Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,65 ohmios

Encapsulado: TO220F

Data sheet