Descripción

Numero de parte: IRF1405

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Disipación de potencia máxima (Pd): 330 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 55 V

Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 169 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Carga total de puerta (Qg): 170 nC

Tiempo de subida (tr): 190 nS

Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 1210 pF

Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,0053 ohmios

Encapsulado: TO220AB

Data sheet