Descripción

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Disipación de potencia máxima (Pd): 200 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 57 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Carga total de la puerta (Qg): 130 (máx.) nC

Tiempo de subida (tr): 58 nS

Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 410 pF

Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,023 ohmios

Paquete: TO220AB

Data sheet