Descripción
Número de Parte: HIRF840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Carga de la puerta (Qg): 63 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Encapsulado: TO220AB
