Descripción

Número de Parte: IRF9Z24N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 55 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 19(max) nC

Tiempo de subida (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.175 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220AB

Data sheet