Descripción

IRFP90N20D MOSFET Canal N 200V 90A TO-247AC – International Rectifier

El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas e inversores de potencia.

Fabricado bajo la marca International Rectifier (IR), este componente ofrece una tensión máxima drenaje-fuente de 200 V, corriente de drenaje de 90 A y una baja resistencia de conducción RDS(on), que permite reducir las pérdidas de energía durante su funcionamiento.

Su encapsulado TO-247AC de 3 terminales facilita el montaje sobre disipadores de calor, siendo adecuado para reparación y fabricación de equipos electrónicos de potencia.

Características técnicas

• Referencia: IRFP90N20D
• Marca: International Rectifier (IR)
• Tipo: Transistor MOSFET de potencia
• Canal: N
• Voltaje drenaje-fuente (VDS): 200 V
• Corriente de drenaje continua (ID): 90 A a TC = 25 °C
• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 360 A
• Resistencia RDS(on): 0,022 Ω (valor típico indicado)
• Voltaje máximo compuerta-fuente (VGS): ±20 V
• Carga total de compuerta (Qg): 300 nC (típica)
• Disipación máxima de potencia: 300 W a TC = 25 °C
• Temperatura de unión: −55 °C a +150 °C
• Encapsulado: TO-247AC
• Número de terminales: 3
• Tipo de montaje: Through-Hole (THT), montaje mediante orificios

Nota: Los valores máximos de corriente y potencia corresponden a condiciones específicas de temperatura y disipación térmica. No representan capacidades continuas garantizadas en cualquier instalación.

Configuración de terminales

Observando el componente de frente, con las inscripciones visibles y los terminales orientados hacia abajo:

• Pin 1 – G (Gate): Compuerta
• Pin 2 – D (Drain): Drenaje
• Pin 3 – S (Source): Fuente

La distribución de terminales debe comprobarse con la ficha técnica antes de instalar el componente.

Aplicaciones

El MOSFET IRFP90N20D es adecuado para diferentes aplicaciones de electrónica de potencia:

• Controladores de motores eléctricos
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Inversores de potencia
• Convertidores DC-DC
• Sistemas de alimentación industrial
• Circuitos de conmutación de alta corriente
• Etapas de potencia
• Equipos de automatización industrial
• Reparación de tarjetas electrónicas
• Sistemas de control de energía

Ventajas principales

• Alta capacidad de manejo de corriente.
• Voltaje de trabajo de hasta 200 V.
• Baja resistencia de conducción para reducir pérdidas.
• Adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia.
• Encapsulado robusto TO-247AC.
• Posibilidad de instalación sobre disipador térmico.
• Compatible con diseños que requieran sus características eléctricas y distribución de terminales.

Recomendaciones de instalación

Para garantizar un funcionamiento adecuado:

• Utilice un disipador de calor apropiado para la potencia disipada.
• Compruebe la compatibilidad del circuito de control de compuerta.
• Verifique la distribución de los terminales antes de soldar.
• No supere los límites eléctricos y térmicos especificados por el fabricante.
• Utilice aislamiento térmico y eléctrico cuando el montaje lo requiera.

Importante antes de comprar

Verifique que la referencia requerida sea IRFP90N20D, ya que existen otros MOSFET con encapsulado similar, pero características eléctricas diferentes.

Antes de utilizarlo como reemplazo, compare el voltaje, la corriente, la resistencia RDS(on), la carga de compuerta y la configuración de terminales con el componente original.

Contenido del paquete

1 × Transistor MOSFET IRFP90N20D Canal N, 200 V, 90 A, encapsulado TO-247AC.