Descripción

Número de Parte: NCE4688

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 6.1 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de la puerta (Qg): 21 nC

Tiempo de subida (tr): 150 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm

Encapsulado: SO8

Data sheet