Descripción

Número de Parte: YGW30N65F1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Máxima potencia disipada (Pc), W: 312

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A:60

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 22

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 130

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 180

Enapsulado: TO247

Data sheet