Descripción
IGBT YGW60N65F1 650V 60A TO-247
El YGW60N65F1 es un transistor de potencia IGBT Trench con diodo integrado, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia como máquinas de soldadura inverter, inversores, fuentes de alimentación, UPS, convertidores y sistemas de control de motores. Al-Hekmh Electronics
Su capacidad de trabajo de 650 V y corriente de 60 A lo hace apropiado para etapas de potencia que requieren alta capacidad de conmutación y bajas pérdidas de conducción.
Características principales
- Referencia: YGW60N65F1
- Tipo: IGBT Trench
- Diodo integrado: Sí
- Voltaje colector-emisor (VCES): 650 V
- Corriente de colector: 60 A
- Corriente máxima indicada a 25 °C: 120 A
- Disipación máxima de potencia: 260 W
- Voltaje máximo Gate-Emitter (VGE): ±20 V
- VCE(sat) típico: 1.85 V
- Carga total de compuerta (Qg) típica: 158 nC
- Tiempo de subida típico: 79 ns
- Temperatura máxima de unión: 150 °C
- Encapsulado: TO-247 Electro Parts
Aplicaciones
Especialmente indicado para:
- Máquinas de soldadura inverter
- Inversores de potencia
- Fuentes de alimentación conmutadas
- UPS
- Convertidores de potencia
- Controladores de motores
- Etapas de potencia
- Reparación de equipos electrónicos industriales
Importante antes de comprar
Antes de sustituir un IGBT, verifique la referencia, encapsulado, distribución de terminales y parámetros eléctricos del componente original.
Los valores de corriente y potencia máximos dependen de las condiciones especificadas por el fabricante, especialmente de la temperatura y disipación térmica. No deben interpretarse como valores continuos disponibles bajo cualquier condición de funcionamiento.
Contenido del paquete
1 × Transistor IGBT YGW60N65F1 650V 60A TO-247
