Descripción

Número de Parte: AO4407

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 25 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.8 V

Tiempo de subida (tr): 9.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Encapsulado: SO-8

Data sheet