Descripción

Número de Parte: AON7410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Tiempo de subida (tr): 3.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Encapsulado: DFN3X3EP

Data sheet