Descripción
Numero de parte: BUZ80A
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 100 W
Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 800 V
Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V
Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 3,8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Carga total de puerta (Qg): 55 nC
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 1100 pF
Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 3 ohmios
Encapsulado: TO220
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