Descripción

Número de Parte: FGD4536

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Máxima potencia disipada (Pc), W: 125

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 360

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25C |Ic|, A: 50

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.59

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4

Temperatura máxima de unión (Tj), C: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 56

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 47

Paquete / Cubierta: TO252

Data sheet