Descripción

Número de Parte: FQPF10N60C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 600 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 57 nC

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.73 Ohm

Encapsulado: TO220F

Data sheet