Descripción

Numero de parte: IPB180N03S4L-01

Código de marcado: 4N03L01

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Disipación de potencia máxima (Pd): 188 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 16 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 2,2 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 180 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Carga total de puerta (Qg): 187 nC

Tiempo de subida (tr): 5 nS

Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 3370 pF

Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,00105 ohmios

Encapsulado: TO263-7

Data sheet