Descripción

Número de Parte: HIRF840

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 500 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga de la puerta (Qg): 63 nC

Tiempo de subida (tr): 23 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Encapsulado: TO220AB

Data sheet