Descripción

Este MOSFET de potencia está diseñado mediante el proceso MESH OVERLAY™ de la compañía, basado en un diseño de tira consolidado. Esta tecnología iguala y mejora el rendimiento en comparación con componentes estándar de diversas fuentes.

■ RDS(on) TÍPICO = 0,22 Ω
■ CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA
■ 100 % PROBADO CONTRA AVALANCHAS
■ CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS MUY BAJAS
■ CARGA DE PUERTA MINIMIZADA

APLICACIONES
■ CONMUTACIÓN DE ALTA CORRIENTE
■ SISTEMA DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA (SAI)
■ CONVERSORES CC/CC PARA EQUIPOS DE TELECOMUNICACIONES, INDUSTRIALES Y DE ILUMINACIÓN.

Data sheet