Descripción

Estos transistores MOSFET de potencia N-Canal en modo de enriquecimiento son fabricados utilizando la tecnología DMOS planar stripe propietaria de Fairchild.

Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en conducción (RDS(on)), proporcionar un excelente rendimiento de conmutación y soportar altos pulsos de energía en modo avalancha y conmutación.

Estos dispositivos son ideales para aplicaciones de bajo voltaje como:

• Automotriz
• Convertidores DC/DC
• Sistemas de gestión de energía de alta eficiencia
• Equipos portátiles y alimentados por batería

Características

• 15A, 60V, RDS(on) = 0.06Ω @ VGS = 10V
• Baja carga de compuerta (típico 11.5 nC)
• Baja capacitancia Crss (típico 25 pF)
• Conmutación rápida
• Probado al 100% en avalancha
• Mejor capacidad dv/dt
• Temperatura máxima de unión de 175°C

Data sheet