Descripción
Transistor MOSFET IRFB4227 Canal N – 200 V 65 A – International Rectifier – Original
El IRFB4227 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, fabricado por International Rectifier (IR), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia que requieren eficiencia, capacidad de corriente y baja resistencia de conducción.
Cuenta con una tensión máxima de drenador a fuente de 200 V y una corriente continua de drenador de 65 A a 25 °C, bajo las condiciones especificadas por el fabricante.
Su encapsulado TO-220AB de tres terminales permite instalarlo en circuitos electrónicos de potencia y utilizar disipadores de calor adecuados.
Características técnicas
- Referencia: IRFB4227
- Marca: International Rectifier (IR)
- Tipo: MOSFET de potencia
- Canal: N
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 200 V máximo
- Corriente continua de drenador (ID): 65 A (Tc = 25 °C)
- Corriente continua de drenador (ID): 41 A (Tc = 100 °C)
- Resistencia de conducción RDS(on): 0,022 Ω (22 mΩ)
- Carga total de compuerta (Qg): 170 nC típica
- Voltaje máximo compuerta-fuente (VGS): ±20 V
- Disipación máxima de potencia: 300 W (Tc = 25 °C)
- Temperatura de unión: -55 °C a +150 °C
- Encapsulado: TO-220AB
- Número de terminales: 3
- Tipo de montaje: Through-Hole (THT)
- Presentación: Repuesto original
Configuración de terminales
Vista frontal del componente, con las letras orientadas hacia el observador y los terminales apuntando hacia abajo:
- Gate (G): Compuerta
- Drain (D): Drenador
- Source (S): Fuente
La pestaña metálica de montaje está conectada eléctricamente al drenador (Drain).
Aplicaciones
El MOSFET IRFB4227 puede utilizarse en:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
- Inversores de potencia.
- Sistemas de control de motores.
- Convertidores DC-DC.
- Sistemas UPS y fuentes de respaldo.
- Equipos industriales.
- Circuitos de conmutación de alta potencia.
- Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
Ventajas
- Alta capacidad de corriente.
- Baja resistencia de conducción para reducir pérdidas eléctricas.
- Conmutación eficiente en aplicaciones de potencia.
- Encapsulado adecuado para montaje con disipador.
- Compatible con aplicaciones que requieren MOSFET de canal N de 200 V.
Contenido del paquete
1 × Transistor MOSFET IRFB4227 International Rectifier – Original.
Recomendaciones importantes
Antes de comprar, verifique la referencia del componente, la configuración de terminales y las especificaciones eléctricas de su equipo.
La corriente máxima de 65 A y la disipación de 300 W corresponden a condiciones específicas de temperatura de carcasa y refrigeración. La capacidad real depende del disipador, la temperatura de funcionamiento y el diseño del circuito.
Ideal para reparación de fuentes, inversores y equipos electrónicos de potencia.
