Descripción

Número de Parte: SI2301

Código: A1sHB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 20 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 8 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.45 V

Tiempo de subida (tr): 36 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Encapsulado: SOT23

Data sheet