Descripción

Numero de parte: 20N60C3

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Disipación de potencia máxima (Pd): 34,5 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 3,9 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 20,7 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de puerta (Qg): 87 nC

Tiempo de subida (tr): 5 nS

Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 780 pF

Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,19 ohmios

Encapsulado: TO220FP

Data sheet