Descripción

Número de Parte: STP75NF75

Numero de parte: P75NF75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 75 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 117 nC

Tiempo de subida (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220

Data sheet